新存科技申请相变存储器及其制造方法专利，提升存储单元结构稳定性_资讯

新存科技申请相变存储器及其制造方法专利，提升存储单元结构稳定性

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2026-02-07 19:41:13

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器及其制造方法、电子设备”的专利，公开号CN121487260A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种相变存储器及其制造方法、电子设备，其中，相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元；其中，第一方向和第二方向均垂直于第三方向，第一方向和第二方向相交；相变存储单元至少包括：沿第三方向依次层叠设置的第一阻挡层、第一抗氧化层、第一电极、相变存储层以及第二电极。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息207条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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