智创芯源取得红外探测器芯片导热基底结构专利，能够实现更短的降温时间_资讯

智创芯源取得红外探测器芯片导热基底结构专利，能够实现更短的降温时间

创始人

2026-02-07 18:15:53

0次

国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司取得一项名为“红外探测器芯片导热基底结构以及芯片组件”的专利，授权公告号CN223885587U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种红外探测器芯片导热基底结构以及芯片组件，导热基底结构包括框架、基板和冷台，框架上开设有通孔；基板安装在框架上；冷台位于基板的背面，基板与冷台连接，基板或冷台设置在通孔中，用于将框架正面发热元件的热量通过通孔和基板传递到框架背面的冷台上。本实用新型提供的红外探测器芯片导热基底结构，基板与冷台连接，将基板或冷台设置在框架上的通孔中，用于将框架正面发热元件的热量通过通孔和基板传递到框架背面的冷台上，使发热元件产生的热量能够直接通过基板传递到冷台上，能够实现更短的降温时间，实现更快的焦平面到温；增强焦平面温度一致性，以降低对温差对成像效果的影响；减少粘接剂的使用，增强真空度可靠性。

天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

冷台投资智创芯芯片红外通孔探测器框架结构专利基底基板

上一篇：衢州共创电子取得刚挠结合电路板加工工装专利，提高电路板的产品合格率

下一篇：西安利都仪表取得变流稳压供水设备专利，提高变流稳压器使用效率

智创芯源取得红外探测器芯片导热基底结构专利，能够实现更短的降温时间

相关内容

热门资讯