北方华创申请半导体膜层刻蚀方法及设备专利，可去除刻蚀副产物以提升工艺质量_资讯

北方华创申请半导体膜层刻蚀方法及设备专利，可去除刻蚀副产物以提升工艺质量

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2026-02-07 17:42:10

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国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121487512A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括：对待刻蚀膜层上的掩膜层进行图形化刻蚀，以在待刻蚀膜层上形成具有预定图形的掩膜层，预定图形包括密集区域和疏松区域；利用工艺气体去除对掩膜层的刻蚀过程中所产生的部分副产物，工艺气体包括含氧气体和含氟气体，含氧气体和含氟气体的流量比值大于等于0.1，且小于等于0.5；对待刻蚀膜层进行图形化刻蚀。

天眼查资料显示，北京北方华创微电子装备有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本114153.708311万人民币。通过天眼查大数据分析，北京北方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目1371次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可340个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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