珠海楠欣半导体申请封装结构及半导体器件专利，提升封装结构的散热性能_资讯

珠海楠欣半导体申请封装结构及半导体器件专利，提升封装结构的散热性能

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2026-02-07 16:40:52

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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“封装结构及半导体器件”的专利，公开号CN121487610A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种封装结构及半导体器件。该封装结构包括封装框架和第一芯片。封装框架包括封装基岛、直接镀铜陶瓷基板以及第一引脚，直接镀铜陶瓷基板设置于封装基岛上，所第一引脚设置于封装基岛的一侧；直接镀铜陶瓷基板包括陶瓷基板和铜层，在陶瓷基板的厚度方向上，铜层层叠设置于所述陶瓷基板的至少一侧，铜层上设置有第一焊盘。第一芯片设置于铜层背离封装基岛的一侧，并通过第一焊盘与第一引脚电连接。本申请能够提升封装结构的散热性能以及封装基岛的兼容性。

天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息250条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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