英诺赛思申请基于浪涌电流的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法专利，提升测量精度与适配性_资讯

英诺赛思申请基于浪涌电流的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法专利，提升测量精度与适配性

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2026-02-07 16:15:51

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国家知识产权局信息显示，无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院;清华大学申请一项名为“基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法”的专利，公开号CN121476885A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，包括：搭建红外热成像浪涌温度分析平台，固定碳化硅MOSFET后施加浪涌电流，同步采集芯片表面温度分布数据；调用多物理场协同热分析模型，输入器件材料、结构及初始温度参数，分析热传导、热辐射与焦耳热生成过程，输出初步热流数据；采用微分迭代瞬态结温计算法，结合热容量、热阻网络参数，得到不同时间节点瞬态结温计算值；运用扩展动态模式分解热流计算法，分解温度数据提取动态特征，结合芯片厚度、热扩散系数修正热流数据，将修正后数据代入迭代计算，得到最终瞬态温升测量结果，提升测量精度与适配性。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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