天岳半导体取得碳化硅单晶多型共生区域晶型判定方法专利_资讯

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2026-02-07 15:14:53

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国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司取得一项名为“一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用”的专利，授权公告号CN119290843B，申请日期为2024年10月。

天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业天岳投资上海半导体材料天眼查大专利区域晶型单晶碳化硅

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