燕东微申请一种半导体结构专利，较传统的SOI半导体结构具有更高的纵向耐压_资讯

燕东微申请一种半导体结构专利，较传统的SOI半导体结构具有更高的纵向耐压

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2026-02-07 15:14:47

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国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121487302A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构，包括半导体基板，沿厚度方向，半导体基板包括依次层叠设置的第一半导体层至第三半导体层，其中：第三半导体层包括有源区，有源区中设有重掺区，重掺区的掺杂浓度大于第三半导体层的掺杂浓度；第二半导体层中设有多层隔离层，每层隔离层包括多个沿第一方向间隔设置的隔离区；相邻隔离层的隔离区交错设置且彼此相接，以将第一半导体层与第三半导体层隔离，第一方向平行于半导体基板表面。本申请实施例提供的半导体结构，保留了传统SOI半导体结构的优势，并较传统的SOI半导体结构具有更高的纵向耐压和更好的散热性能。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1096次，专利信息177条，此外企业还拥有行政许可113个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资纵向隔离有源导体包括结构专利有源区半导体半导体层基板隔离层

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