南通大学等取得具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔芯片专利_资讯

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2026-02-07 15:15:13

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国家知识产权局信息显示，南通大学、无锡中微腾芯电子有限公司取得一项名为“一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片”的专利，授权公告号CN120955058B，申请日期为2025年10月。

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来源：市场资讯

市场投资沟槽隔离多阶南通大学芯片通孔环形结构公告号硅通孔

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