国家知识产权局信息显示，苏州晶歌半导体有限公司申请一项名为“锑化物分布式反馈激光器及其制作方法”的专利，公开号CN121461101A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种锑化物分布式反馈激光器的制作方法，其包括以下步骤：S1、在衬底上形成N型第一InAs缓冲层；S2、在N型第一InAs缓冲层上形成N型下InAsSb限制层；S3、在N型下InAsSb限制层上形成N型下InAlAsSb波导层；S4、在N型下InAlAsSb波导层上形成InGaAs/InAlGaAsSb量子阱层；S5、在InGaAs/InAlGaAsSb量子阱层上形成P型上InAlAsSb波导层；S6、在P型上InAlAsSb波导层上形成P型上InAsSb限制层；S7、在P型上InAsSb限制层上形成P型第二InAs缓冲层；S8、在P型第二InAs缓冲层上形成P型腐蚀阻挡层；S9、在P型腐蚀阻挡层上形成P型光栅层；S10、在P型光栅层上形成P型势垒层；S11、在P型势垒层上形成P型欧姆接触层；其中，采用MOCVD方法执行步骤S1‑步骤S11。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的锑化物分布式反馈激光器。

天眼查资料显示，苏州晶歌半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1355.6444万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶歌半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息37条，此外企业还拥有行政许可12个。

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来源：市场资讯