爱思开海力士申请半导体装置制造方法专利，形成延伸穿过层叠物的沟道结构
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2026-02-07 01:11:59
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121463802A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：通过交替地层叠第一材料层和第二材料层来形成层叠物；形成延伸穿过层叠物的分离牺牲层；形成延伸穿过层叠物和分离牺牲层的沟道结构；形成延伸穿过层叠物的狭缝；通过经由狭缝去除第二材料层来形成第一开口；通过经由狭缝去除分离牺牲层来形成第二开口；通过狭缝和第二开口在第一开口中形成第三材料层；在第二开口中形成分离结构；以及在狭缝中形成狭缝结构。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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