长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的良率_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的良率

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2026-02-06 20:43:27

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统”的专利，公开号CN121463432A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构内的晶体管失效的概率，提升半导体结构的良率。所述半导体结构包括晶体管。所述晶体管包括半导体柱和栅极。半导体柱沿第一方向延伸，所述第一方向为所述半导体结构的厚度方向。所述半导体柱包括曲面侧壁，所述曲面侧壁向远离所述半导体柱的方向凸起。栅极位于所述半导体柱的一侧，且与所述曲面侧壁相对设置。上述半导体结构可以应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1443次，财产线索方面有商标信息975条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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