美光科技申请具有窗口居中的存储器装置专利，将工艺窗口在感测放大器的参考侧上在针对0的电压与针对1的电压之间居中
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2026-02-06 14:12:19
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“具有窗口居中的存储器装置”的专利，公开号CN121459866A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及具有窗口居中的存储器装置。各种应用可包含具有三维3D存储器装置的设备，所述3D存储器装置具有用于0及1感测的窗口居中机制。3D存储器装置可经构造以实施窗口居中方案以将电荷添加到感测放大器的参考侧，使得工艺窗口在所述感测放大器的参考侧上在针对0的电压与针对1的电压之间居中。3D DRAM装置可经构造以选择性地将空闲偏压施加到局部数字线，或将参考电压施加到所述局部数字线以将所述局部数字线偏压到居中电压，其中所述空闲偏压具有在用以优化数据保留的范围内的电压。
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来源：市场资讯
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