江苏第三代半导体研究院申请LED器件及其制备方法专利，有助于实现无损分离_资讯

江苏第三代半导体研究院申请LED器件及其制备方法专利，有助于实现无损分离

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2026-02-06 11:15:59

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种LED器件及其制备方法”的专利，公开号CN121463601A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开LED器件及其制备方法，该制备方法包括在衬底基板上形成外延结构，得氮化物外延片；外延结构包括多个第一氮化物结构以及覆盖所有第一氮化物结构的氮化物层，衬底基板与氮化物层之间具有多个沿预设方向间隙设置的空气层，空气层与第一氮化物结构交替分布在衬底基板上；在氮化物外延片的氮化物层上形成发光结构层，得第一LED外延结构；沿空气层去除第一LED外延结构的第一氮化物结构，分离衬底基板和氮化物层，得第二LED外延结构；第二LED外延结构包括依次叠置的氮化物层和发光结构层；在第二LED外延结构的氮化物层上形成N型电极，得LED器件。本发明通过空气层分离氮化物层和衬底基板，减少了分离损伤，有助于实现无损分离，确保LED器件的性能。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息398条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法氮化物空气层投资器件半导体外延结构专利衬底基板

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