南亚科技申请半导体结构及其制造方法专利，使得导电层与接合垫的电阻变小
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2026-02-06 11:13:05
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121463800A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一晶片。第一晶片包括第一互连层、设置在第一互连层上的第一导电层、覆盖第一导电层的第一介电层以及嵌入第一介电层中并延伸到第一导电层中的第一接合垫。制造半导体结构的方法包括以下操作。形成第一导电层在第一互连层上。形成第一介电层在第一导电层与第一互连层上。蚀刻第一介电层以形成第一沟槽在第一导电层上。蚀刻第一导电层的部分以形成第二沟槽。形成第一接合垫在第二沟槽中。具有接合垫延伸至导电层中的半导体结构可增加导电层与接合垫之间的接触面积，使得导电层与接合垫的电阻变小。
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