三星取得半导体器件及其制造方法专利，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化_资讯

三星取得半导体器件及其制造方法专利，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化

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2024-03-21 03:44:46

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金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN109037215B，申请日期为2018年5月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。

来源：金融界

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