晶存科技申请DDR参考电压参数调整方法专利，实现最佳Vref参数组合的精准确定_资讯

晶存科技申请DDR参考电压参数调整方法专利，实现最佳Vref参数组合的精准确定

创始人

2026-02-05 15:15:09

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市晶存科技股份有限公司申请一项名为“DDR参考电压参数调整方法、系统、设备及存储介质”的专利，公开号CN121459902A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种DDR参考电压参数调整方法、系统、设备及存储介质，该方法包括获取DDR内存读方向的数字化眼图以及对应的眼高幅度分布；从数字化眼图的采样点中排除因寄存器范围限制而无效的采样点，得到有效采样点集合；根据有效采样点集合的眼高幅度分布确定目标优化区域；对所述目标优化区域的读方向Vref电平值进行优化，同步对写方向Vref电平值与终端电阻参数进行调整；将调整确定后的读方向Vref值、写方向Vref值及终端电阻参数，编译为配置代码写入DDR内存控制器的测试程序；运行测试程序并获取优化后的数字化眼图，直至优化后的数字化眼图的眼高满足预设容限；本申请能够避免寄存器范围限制所产生的无效采样点干扰，实现最佳Vref参数组合的精准确定。

天眼查资料显示，深圳市晶存科技股份有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10216万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶存科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业调整采样投资参数 Vref 深圳市电压参考专利寄存器 Vref参数眼图 Vref值

上一篇：原创 2026年智能手机SoC市场：高通出货将下滑8.8%，华为逆势增长4%！

下一篇：大全凯帆取得大电流试验检测台专利，提高测试兼容性和安全性

晶存科技申请DDR参考电压参数调整方法专利，实现最佳Vref参数组合的精准确定

相关内容

热门资讯