国微电子申请三维堆叠存储器及冗余修复方法专利，有效提高存储单元故障的晶圆堆叠良率_资讯

国微电子申请三维堆叠存储器及冗余修复方法专利，有效提高存储单元故障的晶圆堆叠良率

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2026-02-04 17:42:19

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国家知识产权局信息显示，深圳市国微电子有限公司申请一项名为“一种三维堆叠存储器及冗余修复方法”的专利，公开号CN121459906A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种三维堆叠芯片及冗余修复方法，所述三维堆叠存储器包括逻辑控制芯片和多个存储器芯片，所述逻辑控制芯片包括内建冗余分析模块和多个内建自测试模块；内建自测试模块被配置为对所有存储器芯片进行并行测试，并将测试得到的第一存储器芯片对应的第一故障信息发送至所述内建冗余分析模块；内建冗余分析模块被配置为基于接收到的所述第一故障信息生成对应的第一冗余修复策略；内建自测试模块和内建冗余分析模块还被配置为依次对各其他存在故障的存储器芯片进行串行测试并生成对应的修复策略。通过本申请方案设计了“并行测试‑修复‑串行测试与修复”的修复流程，能够极大节省硬件面积开销，有效提高存储单元故障的晶圆堆叠良率。

天眼查资料显示，深圳市国微电子有限公司，成立于2008年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市国微电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目665次，专利信息314条，此外企业还拥有行政许可13个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

自测试三维投资冗余芯片存储器故障模块专利内建晶圆堆

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