阿托梅拉申请包括超晶格吸杂层的存储器器件专利，可吸杂来自沟道的金属颗粒_资讯

阿托梅拉申请包括超晶格吸杂层的存储器器件专利，可吸杂来自沟道的金属颗粒

创始人

2026-02-04 14:42:00

0次

国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包括超晶格吸杂层的存储器器件及相关方法”的专利，公开号CN121444606A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，半导体器件可以包括半导体基板以及位于半导体基板上的存储器器件，该存储器器件包括与半导体基板相邻的金属诱导结晶（MIC）沟道，以及与MIC沟道相关联的栅极。该半导体器件还可以包括位于基板与MIC沟道之间的超晶格吸杂层。该超晶格吸杂层可以包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。超晶格吸杂层还可以包括来自MIC沟道的被吸杂金属颗粒。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资器件来自存储器梅拉导体包括专利金属吸杂层半导体阿托梅拉超晶格

上一篇：宏发电声取得直线运动的电磁机构及电磁继电器专利，使磁路结构更加稳定

下一篇：华能海南昌江核电申请DCS热电阻调理模块故障定位与分析方法专利，能快速识别热电阻调理模块自身异常、前端采集节点问题或后端处理单元故障

阿托梅拉申请包括超晶格吸杂层的存储器器件专利，可吸杂来自沟道的金属颗粒

相关内容

热门资讯