中茵微电子申请快速检查底层模块电源地连接强弱方法专利，解决了底层模块电源地连接强度检测准确性不佳的技术问题_资讯

中茵微电子申请快速检查底层模块电源地连接强弱方法专利，解决了底层模块电源地连接强度检测准确性不佳的技术问题

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2026-02-04 13:50:09

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国家知识产权局信息显示，中茵微电子（成都）有限公司申请一项名为“一种快速检查底层模块电源地在上层模块连接强弱的方法”的专利，公开号CN121435906A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种快速检查底层模块电源地在上层模块连接强弱的方法，涉及芯片版图检测技术领域，该方法包括：获取待检查的芯片版图数据，并确定待检查模块；提取待检查模块的多个连接结构特征参数，其中，多个连接结构特征参数包括连接孔数量、连接孔密度、连接线总面积、最窄连接线宽度；根据连接结构特征参数，计算连接强度参数；根据连接强度参数，判断底层模块电源地在上层模块的连接强弱等级。本发明解决了现有技术中存在的底层模块电源地连接强度检测准确性不佳的技术问题。

天眼查资料显示，中茵微电子（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中茵微电子（成都）有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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