中图半导体申请复合图形化衬底专利，提高了光提取效率_资讯

中图半导体申请复合图形化衬底专利，提高了光提取效率

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2026-02-04 13:49:33

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国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种复合图形化衬底、LED外延片和制备方法”的专利，公开号CN121442854A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种复合图形化衬底、LED外延片和制备方法。复合图形化衬底包括衬底以及位于衬底一侧表面的多个圆锥结构；多个圆锥结构呈六边形排列；圆锥结构包括锥状主体部和填充部，锥状主体部包括顶点、锥面和底面，锥面具有六个第一弧形凹槽和六个第一弧形凸起；第一弧形凹槽分别位于锥面对准相邻的六个圆锥结构的位置，且与第一弧形凸起间隔设置；第一弧形凹槽和第一弧形凸起均由顶点延伸至底面；填充部填充于第一弧形凹槽中。本发明减小了复合图形化衬底在图形密排和疏排方向的C面平整度差异，提升了C面平整度，降低了外延生长过程中位错产生的几率，提高了光提取效率。

天眼查资料显示，广东中图半导体科技股份有限公司，成立于2013年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本42601.8559万人民币。通过天眼查大数据分析，广东中图半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可95个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业图形化复合弧形投资提高了中图导体专利锥面圆锥衬底凹槽

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