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钠存科技申请阻变存储器及其制作方法专利，实现导电细丝成核位置的精准诱导

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2026-02-04 13:46:05

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国家知识产权局信息显示，钠存科技（杭州）有限公司申请一项名为“一种阻变存储器及其制作方法”的专利，公开号CN121442965A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种阻变存储器及其制作方法，涉及阻变存储器技术领域。首先提供一基体结构，其中，基体结构包括垂直通孔及通孔上方的层间介质层，之后对基体结构进行刻蚀，并在垂直通孔区域形成倒梯形沟槽；然后基于倒梯形沟槽的底部沉积下电极；再基于下电极的表面依次沉积阻变层、阻挡层以及氧交换层，并沉积金属薄膜；其中，阻变层、阻挡层、氧交换层以及金属薄膜均位于沟槽内，且位于底部的金属薄膜的厚度大于位于侧壁的金属薄膜厚度；接着高温退火，以使金属薄膜形成均匀的金属纳米颗粒；最后基于氧交换层的表面沉积上电极。本申请具有实现导电细丝成核位置的精准诱导，提升了器件精度与可靠性的优点。

天眼查资料显示，钠存科技（杭州）有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本117.6471万人民币。通过天眼查大数据分析，钠存科技（杭州）有限公司专利信息3条。

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来源：市场资讯

显示导电沟槽薄膜存储器诱导通孔杭州专利金属钠存科技基体

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