固得沃克申请氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控专利,提升器件可靠性和开关性能
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2026-02-04 09:44:43
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国家知识产权局信息显示,深圳市固得沃克电子有限公司申请一项名为“氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置”的专利,公开号CN121442730A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明涉及电压智能调控技术领域,公开了一种氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置。该方法:对氮化镓功率MOSFET的氮化硅电荷捕获层进行深能级瞬态谱测量,得到标定陷阱密度、标定能级深度和标定势垒厚度;创建脉冲参数映射表;采集氮化镓功率MOSFET的漏极电流并计算计算阈值偏差;根据阈值偏差查询脉冲参数映射表,得到第一脉冲参数,并对第一脉冲参数进行温度补偿,得到第二脉冲参数;将第二脉冲参数转换为栅极注入脉冲施加至电荷捕获层,驱动电子隧穿注入陷阱调整二维电子气浓度,输出调控后的阈值电压。本发明实现了宽工作范围内阈值电压的高精度稳定调控,提升了氮化镓功率MOSFET的可靠性和开关性能。

天眼查资料显示,深圳市固得沃克电子有限公司,成立于2005年,位于深圳市,是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市固得沃克电子有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息13条,专利信息29条,此外企业还拥有行政许可7个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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