证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“改善HCI效应的半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202511598774.3，授权日为2026年2月3日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的侧面内缩形成凹坑，凹坑开口与硬掩膜层表面相交；填充浅沟槽得到隔离层，衬底氧化层和隔离层于凹坑位置合围形成孔洞；去除硬掩膜层，在孔洞与硬掩膜层相交位置形成缺口，通过缺口使得孔洞与外部环境连通；在衬底氧化层表面沉积形成栅极材料层，沉积时栅极材料沿缺口进入孔洞，填充形成控制栅极体。其制备流程简单，能够改善器件的热载流子效应，延长器件寿命。

今年以来晶合集成新获得专利授权47个，较去年同期增加了291.67%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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