晶瑞电子取得单晶生长炉专利提升晶体晶片电阻率均匀性_资讯

晶瑞电子取得单晶生长炉专利提升晶体晶片电阻率均匀性

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2026-02-03 20:43:45

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国家知识产权局信息显示，浙江晶瑞电子材料有限公司取得一项名为“一种单晶生长炉”的专利，授权公告号CN223866835U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请公开了一种单晶生长炉，该单晶生长炉包括炉体以及加热机构，炉体围合形成炉腔；加热机构位于炉腔内，加热机构包括下加热器、侧加热器及上加热器组件，下加热器、侧加热器及上加热器组件围合形成用于容置加热容器并加热原料的加热腔；上加热器组件包括独立设置的内加热器和外加热器。本申请提供的一种单晶生长炉，通过内加热器和外加热器的共同作用，使得晶体生长区域各处的温度均匀，减小晶体生长区域的中间位置与边缘位置之间的温度差，降低晶体生长区域的径向温度梯度，从而减小生长晶体的应力，避免晶体开裂，提升晶体晶片电阻率的均匀性。

天眼查资料显示，浙江晶瑞电子材料有限公司，成立于2014年，位于绍兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本172571.428572万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶瑞电子材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可18个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示晶体投资炉腔单晶电阻率专利加热器区域生长炉

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