通富微电子申请CIS芯片封装结构专利，优化成像质量_资讯

通富微电子申请CIS芯片封装结构专利，优化成像质量

创始人

2026-01-31 17:40:13

0次

国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“一种CIS芯片封装结构”的专利，公开号CN121442799A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，遮光基板实现芯片背面和侧面全域避光；通过在遮光基板上形成多个贯穿其厚度的导电柱，采用基板通孔代替TSV，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围堰，消除溢胶污染芯片感光区的风险；其中，采用透光介电层、透光重布线层和超薄玻璃板代替现有技术中的厚玻璃，缩短光学路径，抑制界面反射以削弱眩光，优化成像质量；遮光层和遮光基板覆盖非光学功能区，确保全域避光完整性。

天眼查资料显示，通富微电子股份有限公司，成立于1994年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本151759.6912万人民币。通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目67次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息993条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示成像投资通富感光芯片微电子结构专利电层基板

上一篇：感之源电子申请共模电感扁线卧式绕线设备专利，实现扁平线材宽边贴合卷绕

下一篇：全连通电子取得高电流电源连接器专利，有效提高工作安全性

通富微电子申请CIS芯片封装结构专利，优化成像质量

相关内容

热门资讯