中芯国际申请半导体器件及形成方法专利，改善埋入式电源轨的前端综合过程_资讯

中芯国际申请半导体器件及形成方法专利，改善埋入式电源轨的前端综合过程

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2026-01-30 19:43:46

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件、形成方法及全环绕栅极晶体管结构”的专利，公开号CN121419268A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体器件、形成方法及全环绕栅极晶体管结构，其中，所述方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有埋入式电源轨结构，其中，所述埋入式电源轨结构的顶面低于所述衬底的表面；在所述埋入式电源轨结构上形成与所述衬底的表面齐平的顶面隔离结构；在形成有所述埋入式电源轨结构的衬底上形成鳍部，其中，所述埋入式电源轨结构位于相邻的鳍部之间；在所述鳍部上形成栅结构和源漏结构，以形成目标半导体器件。本发明实施例所提供的技术方案，通过在衬底上形成鳍部之前进行埋入式电源轨的制造，从而可以避免后续二次退火工艺的引入，改善埋入式电源轨的前端综合过程。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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