真芯半导体取得半导体器件及DRAM制造方法专利_资讯

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2026-01-30 18:47:14

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国家知识产权局信息显示，真芯(北京)半导体有限责任公司取得一项名为“一种半导体器件、DRAM及其制造方法”的专利，授权公告号CN115020318B，申请日期为2021年3月。

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来源：市场资讯

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