随着硅基芯片性能逼近物理极限,全球科学家正在寻找替代方案,以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日,国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文,他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”,突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。
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