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芯联越州取得晶体管和半导体集成结构专利，降低介质层发生破裂的风险

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2026-01-30 11:43:01

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国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司取得一项名为“晶体管和半导体集成结构”的专利，授权公告号CN223859653U，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种晶体管和半导体集成结构。包括：半导体材料层，半导体材料层上具有核心区、位于核心区外围的终端区以及位于核心区和终端区之间的过渡区；介质层，位于半导体材料层上，介质层中形成有多个暴露出半导体材料层的源极接触孔；金属硅化物层，形成在源极接触孔内的半导体材料层的表面上；多个源极接触孔包括位于核心区的多个核心区源极接触孔以及位于过渡区的多个过渡区源极接触孔，各过渡区源极接触孔的开口面积与各核心区源极接触孔的开口面积的比值范围为0.8至1.2。避免金属硅化物层与介质层之间应力不匹配，降低介质层发生破裂的风险，保障器件的性能。

天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目63次，专利信息152条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资降低半导体越州介质集成晶体管结构专利芯联介质层区源

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