华芯半导体申请半导体腔室加热器温度控制方法专利，提升加热电阻温度测量的准确性和稳定性_资讯

华芯半导体申请半导体腔室加热器温度控制方法专利，提升加热电阻温度测量的准确性和稳定性

创始人

2026-01-29 19:13:37

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市华芯半导体装备技术有限公司申请一项名为“一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质”的专利，公开号CN121411541A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明实施例涉及温度控制技术领域，尤其涉及一种半导体腔室加热器的温度控制方法、系统及存储介质，加热器包括加热电阻，加热电阻与配置有标准测量通道的标准采样模块电连接，标准测量通道设有多个电压增益量程。本发明实施例利用候选电压增益量程对应的候选电压校准系数计算出加热电阻精确的电压测量值及利用候选电流码值对应的电流校准系数计算出加热电阻精确的电流测量值，如此，根据电压测量值和电流测量值计算出加热电阻精确的参考电阻值，从而能够根据参考电阻值获得加热电阻精确的参考温度值，精确地调整加热电阻的加热功率，提升加热电阻温度测量的准确性和稳定性，实现加热电阻温度的精确控制。

天眼查资料显示，深圳市华芯半导体装备技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2650万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华芯半导体装备技术有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息14条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资热电阻深圳市测量导体专利加热器温度控制温度腔室电压电阻

上一篇：高带宽存储器HBM板块1月29日跌3.98%，精智达领跌，主力资金净流出45.29亿元

下一篇：军工电子板块1月29日跌2.56%，火炬电子领跌，主力资金净流出26.89亿元

华芯半导体申请半导体腔室加热器温度控制方法专利，提升加热电阻温度测量的准确性和稳定性

相关内容

热门资讯