和舰芯片申请集成薄膜电阻及其制备方法专利，可以精确控制电阻值_资讯

和舰芯片申请集成薄膜电阻及其制备方法专利，可以精确控制电阻值

创始人

2026-01-29 15:42:45

0次

国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种集成薄膜电阻及其制备方法”的专利，公开号CN121419554A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成薄膜电阻及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、对前层工艺中的金属间电介质平坦化后形成氧化层；S2、在氧化层上方进行第一次SiON沉积后形成隔绝层；S3、在隔绝层上方依次进行铬硅和TiN沉积，分别形成铬硅层和窗口层后回火；S4、在窗口层上方进行第二次SiON沉积；S5、对铬硅薄膜电阻进行宽定义、长定义、集成电路接触孔定义和集成电路引线定义，得到铬硅薄膜电阻。本发明在现有制作方法的基础上对薄膜电阻进行改善，通过该反应制程生成的集成薄膜电阻可以精确控制电阻值，并且相较于扩散电阻和注入电阻具有更低温度系数。

天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司，成立于2001年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息411条，此外企业还拥有行政许可29个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法进行投资电阻芯片薄膜集成专利苏州孔定义 SiON 铬硅

上一篇：扬州通信设备取得电压电流检测校准装置专利，有效提升电压电流校准检测的效率

下一篇：新宙邦正式冲刺港股二次上市！深耕全球电子化学品市场

和舰芯片申请集成薄膜电阻及其制备方法专利，可以精确控制电阻值

相关内容

热门资讯