2025年12月，晶升股份在碳化硅单晶炉领域迈出关键一步：公司自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已于12月29日完成小批量发货，正式交付客户投入应用。这一进展不仅填补了国产300mm SiC长晶设备的空白，也为12英寸碳化硅衬底在先进封装、AR眼镜等新兴场景的落地奠定了“材料之基”。

图片来源：晶升股份

与此同时，公司8英寸碳化硅单晶炉迎来“订单回暖”。2025年10月以来，#晶升股份 连续签订多笔批量订单，并储备大量意向订单，行业去库存周期或近尾声。

技术端，8月发布的SCML320A水平式外延炉将生长速率提升至≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，支持N/P型切换，已获国内头部衬底厂“小批量重复订单”，成为明年营收的重要“稳定器”。

研发管线方面，公司继续加码“大尺寸+高效率”双轮驱动。半年报显示，12英寸SiC晶体生长设备项目投入100万元，阶段进度84%，核心攻关在于优化径向温场均匀性以降低衬底应力；双腔碳化硅外延炉、多片式CVD等新品同步推进，目标在2026年形成“长晶—外延—工艺服务”一站式平台。

资本层面，8月披露的收购北京为准智能（无线通信测试设备）仍在推进，9月8日公司披露重组预案，拟以“发行股份+支付现金”方式拿下北京为准100%股权，并同步募集配套资金；交易价格尚待审计、评估完成后协商确定。若顺利完成，晶升股份将横向切入半导体测试环节，完善产业链布局。

财务端，行业周期下行仍压制短期业绩。2025年前三季度公司营收1.91亿元，同比下降41%，归母净利润亏损1126万元，主要因客户订单执行放缓、验收产品结构变化导致毛利率下滑。管理层在投资者调研中表示，当前8英寸SiC设备毛利率已企稳回升，12英寸新品随放量有望复制“规模降本”路径，预计2026年伴随新能源汽车、AI服务器等需求释放，公司业绩有望迎来“量价齐升”的拐点。

（文/集邦化合物半导体 竹子 整理）

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