剑桥氮化镓器件申请半导体开关专利，接口电路能够调整控制电压以与高压HEMT栅极端子兼容_资讯

剑桥氮化镓器件申请半导体开关专利，接口电路能够调整控制电压以与高压HEMT栅极端子兼容

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2026-01-28 17:42:44

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国家知识产权局信息显示，剑桥氮化镓器件有限公司申请一项名为“半导体开关”的专利，公开号CN121420472A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体开关，包括第一主端子、第二主端子和控制端子，所述半导体开关包括：III族氮化物集成电路，所述III族氮化物集成电路包括：高压HEMT，所述高压HEMT包括高压HEMT源极端子、高压HEMT漏极端子和高压HEMT栅极端子；以及接口电路的至少一部分；其中，所述半导体开关还包括高压晶体管器件，所述高压晶体管器件包括晶体管器件第一端子、晶体管器件第二端子和晶体管器件栅极端子；其中，所述高压HEMT源极端子和所述晶体管器件第一端子可操作地连接到所述第一主端子；其中，所述高压HEMT漏极端子和所述晶体管器件第二端子可操作地连接到所述第二主端子；并且其中，所述高压HEMT栅极端子通过所述接口电路可操作地连接到所述控制端子，其中，所述接口电路能够被配置为调整施加至所述控制端子的电压以与所述高压HEMT栅极端子可操作地兼容。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

高压栅极投资器件电路开关电压导体包括端子半导体晶体管

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