美光科技申请半导体装置专利，增强第二栅极结构两侧的结构稳定性和应力管理
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2026-01-26 12:11:48
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121397998A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置。一种设备包含：衬底；第一区，其在所述衬底上；第二区，其在所述衬底上；至少一个第一晶体管，其包含设置在所述第一区中的第一栅极结构；至少一个第二晶体管，其包含设置在所述第二区中的第二栅极结构；三棱柱形侧壁，其在所述第二栅极结构的两侧上；以及应力膜，其覆盖在所述第一栅极结构上方而没有三棱柱形侧壁的介入。
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来源：市场资讯
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