闪易半导体申请存内计算阵列专利,提升存储计算乘积累加运算精度
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2026-01-24 18:39:36
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国家知识产权局信息显示,上海闪易半导体有限公司申请一项名为“存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路”的专利,公开号CN121398013A,申请日期为2025年10月。

专利摘要显示,本申请提供一种存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路,该存储单元包括:由两个双向对称分布的分栅NOR Flash单元组成的对称位线胞,两个分栅NOR Flash单元共享选择栅,可以提升存储单元的线性度。在基于该存储单元的存储阵列中集成填充阵列形成的存内计算阵列,通过填充阵列可以使每个位线的总电导调整至全局统一值,从而有效提升存储单元的线性度,提升存储计算乘积累加运算的精度。

天眼查资料显示,上海闪易半导体有限公司,成立于2017年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本618.649万人民币。通过天眼查大数据分析,上海闪易半导体有限公司共对外投资了4家企业,财产线索方面有商标信息3条,专利信息21条,此外企业还拥有行政许可2个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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