华虹宏力申请浓度补偿型超结结构及其形成方法专利，能够显著提升器件的击穿电压_资讯

华虹宏力申请浓度补偿型超结结构及其形成方法专利，能够显著提升器件的击穿电压

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2026-01-24 11:13:09

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“浓度补偿型超结结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398088A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种浓度补偿型超结结构及其形成方法。该方法包括：在外延层中刻蚀沟槽形成第一导电类型的掺杂柱后，在填充沟槽前，对该掺杂柱的侧壁上部区域执行带角度的同类型离子注入，以形成浓度补偿区。本发明通过在第一导电类型的掺杂柱上部增加局部掺杂浓度，有效补偿了因沟槽形貌导致的电荷失衡，该方法对工艺波动具有自适应性，在不改变复杂外延工艺的条件下，能够显著提升器件的击穿电压、拓宽工艺窗口并提高产品良率。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法型超投资显著提升补偿浓度结构专利沟槽华虹宏力掺杂柱

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