国家知识产权局信息显示,广西电网有限责任公司电力科学研究院;西安交通大学申请一项名为“一种基于环形自由层的线性TMR传感器”的专利,公开号CN121398450A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明提供了一种基于环形自由层TMR传感器。属于传感器技术领域,包括参考层、势垒层与环形自由层构成,通过构建拓扑约束的环形磁畴结构,实现自由层磁矩在外磁场作用下的可控偏转,与参考层形成精确的相对取向,从而提升磁性隧道结(MTJ)的线性响应性能。通过调节环形自由层的几何参数(如宽厚比、内外径比)以降低有效各向异性场,实现线性响应区间的扩展;同时,环形结构形成磁化闭合路径,有效降低退磁因子与杂散场,提升灵敏度与抗干扰能力。所述传感器采用磁控溅射结合微纳图形化工艺制备,并通过磁退火处理增强磁性各向异性。该传感器结构简单、性能优异,适用于高精度磁场检测场景。
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来源:市场资讯