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英特尔与联电传将进行「世纪大合作」，英特尔要把独家用于下世代埃米级制程与先进封装关键的独家技术「Super MIM」超级电容授权联电，联电技术能力将大跃进，双方并将携手抢攻AI世代大商机，树立台美半导体合作新里程碑。

对于相关消息，联电表示，目前与英特尔的合作重心仍放在12纳米平台，持续强化制程竞争力与客户服务，但未来不排除扩大合作范围，朝更多元技术领域发展。

消息人士透露，联电内部已有专门团队开始对此新合作「动起来」。英特尔则不评论。

业界指出，随着晶体管尺寸持续微缩，芯片在高负载运算时会出现剧烈瞬时电流需求，传统去耦电容面临容量密度不足或漏电流过高等瓶颈，已难以支撑埃米级芯片运作稳定。

Super MIM是英特尔挥军埃米级制程的关键技术，藉由该电容技术，解决先进制程下电源噪声与瞬时功率波动问题，堪称英特尔迈入下世代制程节点的秘密武器。

据了解，英特尔Super MIM超级电容采用铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料堆叠，可在相容既有后段制程（BEOL）的情况下，大幅提升单位面积电容密度，并显著降低漏电水准。

该技术可在芯片内部即时提供瞬间电流支援、抑制电压下陷与电源杂讯，被视为18A等埃米级制程能否顺利量产的关键电力基础模组之一。

消息人士透露，英特尔正规划优先将Super MIM超级电容技术向下导入与联电既有合作的12纳米／14纳米制程平台，并延伸至先进封装相关应用。

业界分析，透过取得英特尔相关授权，联电在关键电力技术先行商品化与模组化再迈进大步，并建立其成熟先进制程与先进封装领域差异化技术门槛。

若联电成功导入英特尔Super MIM超级电容技术，将不仅是单一制程优化，而是取得「先进电力模组」这项跨世代关键能力，有助其切入AI加速器、高速运算、先进封装电源层等高附加价值应用，对联电整体技术平台与客户结构具指标意义。

什么是Super MIM？

要了解Super MIM，让我们先从晶体管角度出发，接着再依据制造顺序由小至大探讨。 FinFET 鳍片式晶体管突出于矽基板，就像是矽基板上方长出许多片状结构，SuperFin 技术强化源极、汲极等磊晶，进而提升应力、缩减电阻、通过更多电流。另一方面同时提供更宽的闸极选项、改善制程，以便提升通道的迁移率，提供更高的驱动电流，对于高效能芯片设计是不可或缺的改进。

在晶体管之上，首先碰触到晶体管的数层电路，SuperFin 缩减紧邻线路的阻障层（barrier）厚度，Intel 宣称能够减少通孔电阻达30％。再往上线径较宽、线距较大的数层电路，内嵌采用metal-insulator-metal（金属-绝缘体-金属）结构的电容，Intel 更进一步采用新型Hi-K 介电材料，让占据相同面积的MIM 电容，拥有5 倍的容值，降低电压骤降（Vdroop）情况，称之为Super MIM。

（来源：经济日报）