钧联汽车电子申请集成SCR的碳化硅MOSFET专利，显著提升栅氧可靠性_资讯

钧联汽车电子申请集成SCR的碳化硅MOSFET专利，显著提升栅氧可靠性

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2026-01-23 09:41:22

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国家知识产权局信息显示，合肥钧联汽车电子有限公司申请一项名为“一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法”的专利，公开号CN121368159A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域，该器件在栅极与源极之间集成有由P+区、N型外延层、P型体区及N+源区构成的PNPN四层结构，其中P+区与源极金属欧姆接触。通过协同设计P+区与N+源区的间距及掺杂浓度，使PNPN结构的正向与反向触发电压阈值可与电控主驱的非对称驱动窗口精确匹配。该结构布置于元胞区外缘或终端区，通过与有源区电隔离、设置场板抑制误触发、优化欧姆接触以加速关断，并确保维持电流高于寄生闩锁触发电流，从而在不影响主器件性能的前提下，实现对栅源间双向浪涌的快速、可靠泄放与自我保护，显著提升栅氧可靠性。

天眼查资料显示，合肥钧联汽车电子有限公司，成立于2020年，位于合肥市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本6739.2万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥钧联汽车电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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