北京集成电路装备创新中心申请半导体工艺方法专利，提升制得的半导体器件的电学性能_资讯

北京集成电路装备创新中心申请半导体工艺方法专利，提升制得的半导体器件的电学性能

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2026-01-23 00:38:47

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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN121368349A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体工艺方法、场效应晶体管制备方法及半导体器件。其中，半导体工艺方法包括：提供衬底，衬底具有叠层结构，叠层结构包括交替堆叠的介质层和金属层；通过原子层沉积工艺在叠层结构的上表面沉积形成第一介质层；通过化学气相沉积工艺在第一介质层上表面沉积形成第二介质层；在第二介质层上表面和衬底下表面分别生长聚合物层；通过化学机械抛光工艺，去除第二介质层上表面的聚合物层，并露出第二介质层；通过湿法刻蚀工艺，去除第二介质层；在湿法刻蚀工艺中，对第二介质层的刻蚀速度大于对第一介质层的刻蚀速度。本发明可以提升半导体结构表面的一致性，提升制得的半导体器件的电学性能。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息97条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法创新中心投资介质导体集成电路工艺专利电学器件半导体叠层介质层

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