武汉新芯申请存储器及操作方法专利，避免温度变化导致的读出错误_资讯

武汉新芯申请存储器及操作方法专利，避免温度变化导致的读出错误

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2026-01-22 21:43:26

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“存储器及操作方法”的专利，公开号CN121366616A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、读参考电流产生模块以及判断模块，通过生成与温度正向变化的目标读参考电流，可以随着流经存储单元的沟道电流同向变化，避免减小目标读参考电流与沟道电流之间的差距，从而能够根据沟道电流与目标读参考电流的比较结果读出正确的数字信号，进而避免温度变化导致的读出错误，提高了工作可靠性。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1806条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示温度电流投资变化存储器参考武汉专利天眼沟道

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