富芯半导体申请半导体结构制备方法专利，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度_资讯

富芯半导体申请半导体结构制备方法专利，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度

创始人

2026-01-22 17:45:36

0次

国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121368137A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底包括衬底、位于衬底内的源极区和漏极区、位于源极区、漏极区之间的衬底上的栅极结构；于基底上形成介质层，于介质层上形成第一金属互连层，其中，第一金属互连层包括第一绝缘层和贯穿第一绝缘层的栅极金属结构、源极金属结构，栅极金属结构、源极金属结构分别通过接触孔与栅极结构、源极区连接，于第一金属互连层上沉积底电极层，平坦化底电极层，基于底电极层，形成分别与栅极金属结构、源极金属结构对应的第一存储结构和第二存储结构，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度，且工艺步骤较少，简化了RRAM的制备流程。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息355条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示栅极电极投资存储导体杭州结构专利源极区半导体漏极区底电极层

上一篇：中国政府只在特殊情况下批准购买 H200芯片？商务部回应

下一篇：其他电源设备板块1月22日涨1.3%，科泰电源领涨，主力资金净流入3.62亿元

富芯半导体申请半导体结构制备方法专利，提高了第一存储结构和第二存储结构中底电极层的平整度

相关内容

热门资讯