南亚科技申请制造半导体元件方法专利，提升半导体元件的电子性能
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2026-01-22 15:41:56
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“制造半导体元件的方法”的专利，公开号CN121368114A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，提供一种制造半导体元件的方法，包括：提供基板，包括单元区以及周边区；形成晶胞触点、位元线结构以及间隔件于单元区上，其中间隔件分隔晶胞触点以及位元线结构；形成经掺杂多晶硅层于晶胞触点上，从而形成包括经掺杂多晶硅层以及晶胞触点的晶胞触点结构，其中经掺杂多晶硅层是经半导体型离子掺杂：经由使用水，对于晶胞触点结构执行第一清洗处理；以及经由使用经稀释氢氟酸或水，对于晶胞触点结构执行第二清洗处理。经由特定的清洗步骤，可避免腐蚀以及残留物残留于晶胞触点结构上，从而提升半导体元件的电子性能。
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