神州半导体申请等离子体源功率电路专利，实现工艺过程中晶圆刻蚀深度均匀、薄膜厚度一致_资讯

神州半导体申请等离子体源功率电路专利，实现工艺过程中晶圆刻蚀深度均匀、薄膜厚度一致

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2026-01-22 13:11:49

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国家知识产权局信息显示，江苏神州半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种等离子体源功率电路、控制方法及装置”的专利，公开号CN121366852A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于等离子体源技术领域，提供了一种等离子体源功率电路、控制方法及装置，功率电路包括准Z源变换器和全桥逆变电路，准Z源变换器连接直流电源，在直通状态和非直通状态之间切换；当准Z源变换器处于直通状态时，全桥逆变电路的负载侧被短接；当准Z源变换器处于非直通状态时，全桥逆变电路的逆变侧等效为恒定电流源，向负载侧提供直流链电压。本发明提供的功率电路，实现了在较宽占空比范围内大幅升压，保证了直流链电压与输出功率在等离子体负载快速变化时的稳定性，兼顾了器件电压应力以及对等离子体产生效率的影响，实现工艺过程中晶圆刻蚀深度均匀、薄膜厚度一致，提高芯片良率。

天眼查资料显示，江苏神州半导体科技股份有限公司，成立于2016年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6600万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏神州半导体科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息181条，此外企业还拥有行政许可25个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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