国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“存储器及操作方法”的专利,公开号CN121366617A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本申请公开了一种存储器及操作方法,该存储器包括存储单元、电压产生模块以及读电压产生模块,通过生成与温度反向变化的读参考电压,根据读参考电压生成施加于存储单元的读电压,由于存储单元的阈值电压与温度反向变化,可以使得读参考电压与存储单元的阈值电压同向变化,从而使得读电压与存储单元的阈值电压同向变化,进而可以在随着温度变化时使得读电压与存储单元的阈值电压之间的差距不会缩小,能够保证读操作的裕量,降低或者避免温度变化导致的读出错误,提高工作可靠性。
天眼查资料显示,武汉新芯集成电路股份有限公司,成立于2006年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目225次,财产线索方面有商标信息67条,专利信息1806条,此外企业还拥有行政许可106个。
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来源:市场资讯