长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器系统专利，提高存储器的性能和可靠性_资讯

长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储器系统专利，提高存储器的性能和可靠性

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2026-01-22 09:10:28

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器系统”的专利，公开号CN121357891A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统。该半导体结构包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、半导体层、第一栅线隔离结构以及第二栅线隔离结构。其中，第二堆叠结构位于第一堆叠结构的一侧，半导体层位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间，第一栅线隔离结构沿第一堆叠结构和第二堆叠结构的堆叠方向穿过第二堆叠结构、半导体层以及第一堆叠结构，并沿第一方向延伸，第二栅线隔离结构沿堆叠方向穿过第二堆叠结构和第一堆叠结构，并沿第一方向延伸，其中，第二栅线隔离结构位于在与第一方向相交的第二方向上相邻的第一栅线隔离结构之间。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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