近日，国内超宽禁带半导体材料企业北京铭镓半导体有限公司宣布完成A++轮超亿元股权融资。本轮投资由彭程创投、成都科创投、天鹰资本、国煜基金、洪泰基金等多家机构共同参与。据悉，本轮融资额约1.1亿元，投后估值达9.1亿元。至此，铭镓半导体已累计完成五轮融资，总融资金额接近4亿元。

本轮融资将主要投向氧化镓衬底研发与产能扩建，具体来看：6英寸氧化镓衬底技术研发与量产、建设2-4英寸氧化镓衬底中试产线、超宽禁带半导体未来产业培育、以及磷化铟多晶产线规模化扩产。

其中，氧化镓突破关键指标6英寸标志着产业迈入规模流片制造阶段，被视为关键进展。行业分析指出，大尺寸衬底是实现规模化流片制造的基础，将有力推动超宽禁带半导体在更高功率场景下的应用落地。铭镓半导体计划新增20台套4-6英寸中试产线设备，预计全面达产后，氧化镓衬底年产能可达3万片。

作为氧化镓龙头企业，铭镓半导体是北京市唯一聚焦于超宽禁带半导体的育新平台，将着力培育北京市超宽禁带半导体未来产业，搭建概念验证平台，整合材料制备、器件中试、应用验证全环节资源，开放3000㎡实验平台及50余套精密设备，提供样品试制、性能检测、工艺优化服务。

作为博士后科研工作站，铭镓半导体联合北京市高校及科研院所等器件团队组建联合研发小组，致力于加速氧化镓在无人机、人工智能、新能源汽车、智能电网等场景落地应用，推动产业链协同。

在氧化镓之外，铭镓半导体的磷化铟多晶业务也随着人工智能、大数据通信等产业爆发迎来需求增长。公司计划在2026年分步增加50台设备，将年产能提升至20吨，以应对当前客户订单需求。

氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，在高压、高功率及高频应用中具备显著优势。据QY Research调研团队报告《全球氧化镓晶圆衬底市场报告2025-2031》显示，预计2031年全球氧化镓晶圆衬底市场规模将达到4.3亿美元，未来几年年复合增长率（CAGR）为27.6%。基于2024年调研数据，铭镓半导体市场份额居全球第三位，在国内超宽禁带半导体材料供应链自主进程中扮演重要角色。