青山工业申请SiC MOSFET振荡抑制电路专利，有效降低开关损耗_资讯

青山工业申请SiC MOSFET振荡抑制电路专利，有效降低开关损耗

创始人

2026-01-21 23:11:00

0次

国家知识产权局信息显示，重庆青山工业有限责任公司申请一项名为“一种SiC MOSFET振荡抑制电路”的专利，公开号CN121356304A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开一种SiC MOSFET振荡抑制电路，包括：双脉冲测试电路，第一、第二箝位电压电路，第一、第二启动电路，第一、第二能量回收电路，以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和三极管Q、电容C、电感L、第一电阻R1、第二电阻R2；当SiC MOSFET关闭时，极管Q导通，电容C和电感L串联连接到MOSFET的漏极和源极之间，产生谐振，周期性的抽取储存在MOSFET结电容中的电荷，从而抑制漏源极电压的振荡，且能把大部分抽取的能量回收到直流电源中，有效降低开关损耗。

天眼查资料显示，重庆青山工业有限责任公司，成立于1993年，位于重庆市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本113670万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆青山工业有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3032次，财产线索方面有商标信息111条，专利信息1313条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资电路电容重庆青山振荡专利二极管电感L 电容C

上一篇：股票行情快报：水晶光电（002273）1月21日主力资金净卖出7412.99万元

下一篇：国瑞协创申请电池组被动均衡电路专利，提高了对单个电芯的均衡速度

青山工业申请SiC MOSFET振荡抑制电路专利，有效降低开关损耗

相关内容

热门资讯