青山工业申请SiC MOSFET振荡抑制电路专利，有效降低开关损耗
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2026-01-21 23:11:00
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国家知识产权局信息显示，重庆青山工业有限责任公司申请一项名为“一种SiC MOSFET振荡抑制电路”的专利，公开号CN121356304A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明公开一种SiC MOSFET振荡抑制电路，包括：双脉冲测试电路，第一、第二箝位电压电路，第一、第二启动电路，第一、第二能量回收电路，以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和三极管Q、电容C、电感L、第一电阻R1、第二电阻R2；当SiC MOSFET关闭时，极管Q导通，电容C和电感L串联连接到MOSFET的漏极和源极之间，产生谐振，周期性的抽取储存在MOSFET结电容中的电荷，从而抑制漏源极电压的振荡，且能把大部分抽取的能量回收到直流电源中，有效降低开关损耗。
天眼查资料显示，重庆青山工业有限责任公司，成立于1993年，位于重庆市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本113670万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆青山工业有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3032次，财产线索方面有商标信息111条，专利信息1313条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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