广州增芯科技申请半导体结构制备方法专利，解决了半导体结构漏电现象_资讯

广州增芯科技申请半导体结构制备方法专利，解决了半导体结构漏电现象

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2026-01-21 19:40:10

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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121357934A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖与栅极邻接的半导体衬底表面和栅极侧壁的第一氧化层；形成覆盖半导体衬底表面、栅极表面和第一氧化层表面的叠层结构，叠层结构包括第一介质层和第二氧化层，并进行刻蚀，形成栅极的侧墙结构，侧墙结构包括保留下来的第一氧化层、第一介质层和第二氧化层，保留下来的第一介质层覆盖位于栅极侧壁的第一氧化层的侧壁以及位于半导体衬底表面的第一氧化层的上表面和侧壁。侧墙结构中第一氧化层的底部完全是处于第一介质层的封闭保护中，在后续制程中，避免了第一氧化层的底部侧壁被刻蚀内凹而使半导体结构的内部形成孔洞，解决了半导体结构漏电现象。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目51次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可180个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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