LG伊诺特申请电路板及半导体封装专利，导电接合部高度大于连接构件高度
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2026-01-21 11:10:05
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国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司申请一项名为“电路板以及包括该电路板的半导体封装”的专利，公开号CN121359631A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，根据实施例的电路板包括积层结构；其设置在所述积层结构上的连接构件；设置在积层结构上并且围绕连接构件的侧部的模制构件；以及贯穿模制构件的导电接合部，其中连接构件包括在垂直方向上贯穿连接构件的至少一部分的贯通电极，导电接合部在垂直方向上的厚度大于贯通电极在垂直方向上的厚度，并且导电接合部的高度大于连接构件的高度。
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来源：市场资讯
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